东芝推出600V超结MOSFET高速开关系列
东芝公司宣布推出一系列新型高速开关类超结(super junction) MOSFET。这一新的“DTMOS IV-H系列”基于东芝第四代600V超结MOSFET“DTMOS IV系列”。新系列中的三款新产品将于三月底投入量产。
新系列保持了传统“DTMOS IV”产品的低导通电阻水平，同时将栅极与漏极之间的寄生电容减少45%，从而实现更快速的开关性能。这有助于提高产品的电源效率。将来还计划推出其他封装形式。
新产品的主要特性
栅极模式优化，相比“DTMOS IV系列”，栅极-漏极电荷降低了45%。
因使用单一外延工艺，高温下导通电阻的增大幅度减小。 
东芝：600V超结MOSFET "DTMOS IV-H"高速开关系列（照片：美国商业资讯）
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[责任编辑：李航行]
