东芝将改建第2晶圆厂向3D NAND技术过渡

东芝公司宣布，该公司将拆除四日市业务部生产基地的2号半导体生产厂，并在同一地点新建晶圆厂。Fab 2是该公司位于日本三重县的NAND闪存制造厂。为共同投资新厂房，东芝还与闪迪公司签署了一份不具约束力的谅解备忘录。新建晶圆厂的主要目的旨在提供生产空间，以便将现有的东芝和闪迪2D NAND产能从2016年开始向3D NAND进行转化。

现有Fab 2的拆除工作将于今年5月启动，而新厂将于2014年9月开始施工，并预计于2015年夏季竣工。新晶圆厂内的无尘室将分阶段进行建设，以便与2D NAND产能向3D NAND转化的时间安排相吻合。第一阶段无尘室建设将按时完成，以配合2016年产出。产能转化加速和设备投资、生产启动，以及新晶圆厂的产量水平方面的决策将根据市场趋势作出。

新晶圆厂将提供工艺配套设施，主要用于3D NAND存储器的生产，并将与四日市的其他设施密切配合使用。东芝和闪迪将通过合资企业，利用其最先进的光刻、沉积和蚀刻制造设备支持3D存储器生产。

东芝公司企业高级副总裁、半导体&存储产品公司总裁兼首席执行官Yasuo Naruke表示：“我们决心开发先进的技术彰显出我们响应对NAND闪存持续需求的承诺。我们相信，东芝与闪迪在四日市成立的合资企业将使我们能够生产具有成本竞争力的下一代存储器产品。”

闪迪公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“我们很高兴能够与东芝在这一新的晶圆厂继续我们的长期合作，这将推动我们在存储器技术方面的领导地位跨入3D NAND领域。”

该新晶圆厂将采用减震结构和环保设计，包括整栋建筑的LED照明。它还将配备最先进的节能生产设备，从而确保提高生产力，同时降低功耗。高效利用废热将有助于降低燃料消耗和减少二氧化碳排放量，相比Fab 5可减少15％。而Fab 5是目前四日市生产基地中最先进的晶圆厂。

在向3D NAND过渡期间，东芝和闪迪将通过合资企业，充分利用四日市生产基地资源，以最大化投资效率。展望未来，两家公司将继续共同开发先进的工艺技术，并进行投资以满足市场需求。

四日市业务部生产基地内的新晶圆厂房效果图（图示：美国商业资讯）