东芝公司和闪迪公司庆祝5号半导体生产厂二期开张以及2号新生产厂施工启动。这两间生产厂均位于四日市业务部生产基地——东芝在日本三重县的NAND闪存工厂。
东芝于2013年8月启动Fab 5二期建设；从今年7月起，东芝和闪迪便开始监督该扩容工厂中的生产设备安装。二期于本月初开始投入生产，采用世界上最小且最先进的节点——15nm NAND闪存工艺技术。今年4月，东芝和闪迪宣布部署这一共同开发的15nm NAND闪存工艺，初期生产依靠Fab 5一期完成；现在，两家公司拟将一期剩余的产能也转化为该新型工艺技术。
东芝目前正在新建Fab 2，以确保有足够空间将东芝和闪迪当前的2D NAND产能转化为3D NAND，并有望于2016年准备投入生产。东芝和闪迪将共同安装生产设备，并通过密切监控市场趋势来确定装机容量以及产量目标和时间计划。
东芝公司企业执行副总裁、半导体&存储产品公司总裁兼首席执行官Yasuo Naruke表示：“我们对于开发先进技术的决定，彰显我们致力于满足对NAND闪存的持续需求的承诺。我们相信，我们与闪迪的合资公司将使我们能够在四日市生产成本更具竞争力的新一代存储器。”
闪迪总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，“我们很高兴能够进一步推进闪迪与东芝的合作，以及能够延续两家公司在日本三重县四日市长达十年之久的合作关系。Fab 5二期和未来的新Fab 2将为两家公司提供所需的无尘室空间，以继续将我们的NAND装机容量转化为新的先进技术节点。”
东芝和闪迪都看好市场对NAND闪存的长期需求增长，特别是来自于智能手机、平板电脑和固态硬盘的需求。两家公司将通过开发和生产先进的闪存技术，继续加强其竞争力和市场领导地位。
