英飞凌科技公司与松下公司宣布达成一项协议。根据该协议，在将松下常关型硅基氮化镓晶体管结构集成到英飞凌表面贴装器件封装内的基础上，双方将联手开发氮化镓器件。出于这一原因，松下为英飞凌颁发了松下常关型GaN晶体管结构的许可证。该协议将有助于这两家公司制造高性能GaN器件。兼容性封装的GaN电源开关（目前任何其他硅基GaN器件都无法获得这种装置）将拥有两个可靠的来源，客户会从中获得额外优势。双方均同意不进一步披露本协议的任何细节。应用电力电子会议与设备展览会将于2015年3月15至19日在北卡罗来纳州夏洛特市举办。届时两家公司将在APEC上首次展示双侧引脚小外形封装的600V 70mΩ器件样品。
作为一种下一代化合物半导体技术之一，硅基GaN一直以来都是重点关注的对象，一方面硅基GaN会使高功率密度和更小占用空间成为可能，另一方面会成为提高能源效率的关键因素。总之，基于硅基GaN技术的功率器件可运用于广泛的领域，从服务器机组中的电源等高压工业应用到直流—直流转换器等低压应用。一项IHS市场研究报告显示，功率半导体元件硅基GaN相关市场有望实现以超过50%的年复合增长率增长，销售额将从2014年的1500万美元增长至2023年的8亿美元。
英飞凌科技公司电源管理和多元市场部门总裁Andreas Urschitz 说道：“英飞凌致力于为客户提供广泛的一流产品和技术组合方案，其中包括基于氮化镓的可靠功率器件。我们相信，增强型硅基GaN开关将与相应的驱动程序和优化驱动方案一起为客户创造巨大的价值，而双源供应概念将有助于客户实现供应链的管理和稳定。”
松下电器半导体有限公司总裁Toru Nishida表示：“松下充分利用自身的复合半导体经验开发了配置简单、动力易于控制的常关型GaN功率技术。我们希望通过为英飞凌发放基于公司GaN功率技术的常关型GaN晶体管结构的许可证来加速GaN功率器件的扩张。公司将不断创新常关型GaN技术，以提供满足客户需求的解决方案。”
