东芝公司旗下的半导体&存储产品公司宣布推出一款汽车用-40V P-ch功率金属氧化物半导体场效应晶体管。作为MOSFET系列的最新产品,“TJ200F04M3L”即日起开始出货。
新产品通过安装一枚采用东芝U-MOS VI沟槽工艺制造的芯片,实现了业界顶级的低导通电阻。该芯片采用TO-220SM封装,这种封装使用经过改进的Cu连接器区域。新产品的低导通电阻有助于减少电子设备的传导损耗。该产品正在进行测试,以期获得AEC-Q101汽车认证。
东芝公司旗下的半导体&存储产品公司宣布推出一款汽车用-40V P-ch功率金属氧化物半导体场效应晶体管。作为MOSFET系列的最新产品,“TJ200F04M3L”即日起开始出货。
新产品通过安装一枚采用东芝U-MOS VI沟槽工艺制造的芯片,实现了业界顶级的低导通电阻。该芯片采用TO-220SM封装,这种封装使用经过改进的Cu连接器区域。新产品的低导通电阻有助于减少电子设备的传导损耗。该产品正在进行测试,以期获得AEC-Q101汽车认证。
此稿件为延展阅读内容,来源于合作方。中国金融信息网不对本稿件内容真实性负责。如发现政治性、事实性、技术性差错和版权方面的问题及不良信息,请及时与我们联系:010-88052986。
[责任编辑:张韵]
中国金融信息网简介┊联系我们┊留言本┊合作伙伴┊我要链接┊广告招商┊Copyright © 2010 - 2021 cnfin.com All Rights Reserved
中国金融信息网 版权所有 京ICP证120153号 京ICP备19048227号 京公网安备110102006349-1 互联网新闻信息服务许可证编号10120170060 广播电视节目制作经营许可证:(京)字第03616号