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东芝推出DMOS FET晶体管阵列

美国商业资讯2015年12月22日17:08分类:财媒聚焦

东芝公司旗下半导体与存储产品公司今日宣布推出新一代高效晶体管阵列“TBD62064A系列”和“TBD62308A系列”,新一代产品搭载DMOS FET[1]型漏型输出(sink- output)[2]驱动器。这些新系列产品是已广泛应用于电机、继电器和LED驱动器等各种应用的双极晶体管阵列TD62064A系列和TD62308A系列的后继系列,而且是业界首款[3]搭载1.5A漏型输出驱动器的DMOS FET晶体管阵列。

TBD62064A系列产品的批量生产计划于2016年2月启动。TBD62308A系列产品样品发货即日启动,批量生产计划于2016年3月开始。

这些新产品配置4个50V/1.5A额定输出通道,适合驱动恒压单极步进马达。

东芝在其新产品中采用了DMOS FET型输出驱动器,以实现客户降低功率损耗所需的高效率——DMOS FET无需基极电流,其保持低导通电阻,因而在器件单位面积上可接受高电流密度。

新产品的主要特点

- 高效驱动

与“TD62xxxA系列”相比,“TBD62xxxA系列”晶体管阵列降低功率损耗约38%[4]。

- 高压、大电流驱动

绝对最大输出额定值为50V/1.5A。

- 满足各种需求的封装。

该产品系列包括一个DIP型和一个HSOP型,业余爱好、娱乐和工业设备市场对前者需求强烈,而后者配有一个散热片,可同时实现大电流(1.5A)驱动和表面贴装。

应用

游乐设备(弹球盘和老虎机)、家用电器(空调和冰箱)及工业设备(自动售货机、ATM等银行终端、办公室自动设备和工厂自动化设备)

与现有产品相比

现有产品

TD62064A/308A系列

新一代产品

TBD62064A/308A系列

输出模块器件

双极型晶体管

DMOS FET

晶片制造技术

双极工艺

130 nm BiCD工艺

未来标准技术

封装

相同封装系列

引脚分配

相同引脚分配

功能

相同功能

电气特性

绝对最大额定值:输出电流 1.5A / 输出电压 50V(相同特性) 新一代产品的输入电流更低,因为无需基极电流。 与TD62xxxA系列相比,新一代产品输出电流驱动所需的输出电压更低,因为降低了导通电阻。

产品阵容

产品

名称

TBD62064A

TBD62308A

FG

PG

FG

PG

输出类型

漏型输出

漏型输出

输出通道

4通道

4通道

输出

50V1.5A

50V1.5A

公共输出

内置

内置

VIN(ON)标准

2.5-25V

0V至Vcc-3.5V

封装

HSOP16

DIP16

HSOP16

DIP16

批量生产

2016年2月

2016年3月

对应的现有产品

TD62064AFG

TD62064APG

TD62308AFG

TD62308APG

[注]

[1] DMOS FET:双扩散型MOSFET

[2] 漏型输出:一种电流输出类型(拉式)。

[3] 截至2015年12月17日。东芝调查。

[4] 当Tj = 90oC且IOUT为1.25A时。

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