东芝公司宣布公司已面向支持LTE-Advanced技术的智能手机开发出SP12T射频天线开关集成电路，实现业内最低水平的插入损耗和射频失真。样品出货即日启动。
随着移动通信技术的普及，射频频带和数据传输速率的量也正显著增加。对移动设备射频电路中所使用的天线开关IC的要求正逐渐朝着多端口，以及改善射频性能的方向发展。此外，为了满足新兴市场高数据传输速率移动通信设备急剧增长的要求，以具有成本效益的方式来改善这些射频性能实属必要。
为了响应这些要求，东芝现已开发出新一代采用绝缘体上硅技术的TarfSOITM工艺“TaRF6”。TarfSOITM实现了将模拟、数字和射频电路集成于单一芯片的目标。相比其它的传统解决方案，例如砷化镓，该工艺提供了一种高性价比解决方案，支持高度复杂的切换功能和射频性能。
借助“TaRF6”新工艺，为射频开关应用定制的金属氧化物半导体场效应晶体管已被开发并应用于新型SP12T射频天线开关IC中，从而带来0.42dB插入损耗以及-90dBm二次谐波失真的性能。与之前的“TaRF5”工艺相比，插入损耗降低了0.26dB，二次谐波失真降低18dB。较低的插入损耗可降低智能手机的功耗，而较低的谐波失真则有利于开发需要低失真的载波聚合智能手机。
东芝将于今年年底扩大采用具有低插入损耗和低失真的“TaRF6”工艺的产品阵容，以满足全球正在部署的长期演进技术所需的多端口和复杂功能的要求，而LTE-Advanced技术有望紧随其后。此外，东芝正考虑提供采用TarfSOITM技术的SOI晶圆代工服务。
